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自组织量子点的瞬态光谱性质研究

Study on Properties of Time- resolved Photoluminescence Study of Self- organized Quantum Dots
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摘要 研究了多层自组织生长InAs/GaAs量子点的PL谱的发光强度、发光寿命及峰值能量的温度特性,发现同一层不同尺寸量子点之间、不同量子点层之间存在着强烈耦合,对两种耦合机制的温度特性进行了较详细的研究.
出处 《山东科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第z1期19-20,共2页 Journal of Shandong University of Science and Technology(Natural Science)
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参考文献5

  • 1[1]Hjiri M,Hassen F, Maaref H. Optical characterisation of self organized InAs/GaAs quantum dots grown by MBE[J]. Materials science and Engineering,2000, (74): 253- 258.
  • 2[2]Bodefeld M C, Warburton R J, Karrai K, et al. Storage of electrons and holes in self- assembled InAs quantum dots[J]. Appl. Phys. Lett., 1999,(74), (13): 1839-1841.
  • 3[3]Eberl K, Lipinski U M, Manz Y M, et al. Self- assembling InAs and InP quantum dots for optoelectronic devices[J]. Thin Solid Films,2000(380): 183 - 188.
  • 4[4]Liu B L, Xu Z Y, Liu H Y, et al. Strong temperature dependence of photoluminescence properties in visible InAlAs quantum dots[J]. Journal of Crystal Growth,2000(220): 51 - 54.
  • 5[5]Mazur Yu I, Wang X, Wang Z M, et al. Photoluminescence study of carrier transfer among vertically aligned double-stacked InAs/GaAs quantum dot layers[J]. Appl. Phys. Lett. ,2002, (81) :2469 - 2471.

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