利用高级MOSFET器件设计高效率开关模式电源
被引量：1
Designing High-Efficiency Switched-Mode Power Supplies Using Advanced MOSFETs
出处
《电子产品世界》
2003年第22期44-46,共3页
Electronic Engineering & Product World
-
1秦宏,尹常永,李川.用VHDL语言的CPLD器件设计[J].黄金学报,2001,3(1):49-51. 被引量：2
-
2王士民,朱自强.当前主流模块电源技术及发展趋势[J].今日电子,2002(4):22-23. 被引量：1
-
3俞绍安.星载开关电源可靠性设计[J].电源技术应用,2006,9(8):17-20. 被引量：1
-
4郭彩霞,俞苹.用“加速”电感器提高大电流功率晶体管的开关速度[J].国外电力电子技术,1990(1):9-10.
-
5新型±15V模拟开关和多路复用器能够满足低导通电阻和低电容要求[J].电子设计技术 EDN CHINA,2004,11(4).
-
6HELP3DCAWT663x系列：功率放大器[J].世界电子元器件,2011(6):27-27.
-
7Yamay.,T,王国平.1000伏MOS集成电路的工艺和器件设计[J].江南半导体通讯,1991,19(3):68-71.
-
8IR推出20V至30V的全新StrongIRFET系列 为高性能运算和通信应用提供极低导通电阻[J].电子设计工程,2014,22(8):168-168.
-
9Vishay推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标[J].电子设计工程,2012,20(10):145-145.
-
10美信电子推出MAX1999双路升压型开关模式电源(SMPS)控制器[J].电子制作,2011,19(3):6-7.
;
