新型PT IGBT型开关管与MOSFET型开关管的性能比较
被引量：2
Performance Comparison Between PT IGBT and MOSFET
出处
《电子产品世界》
2003年第22期76-78,80,共4页
Electronic Engineering & Product World
同被引文献11
-
1洪秋媛.一种电路简单输出电压为准正弦波的逆变电源[J].矿山机械,2004,32(7):85-86. 被引量：1
-
2J.道奇,J.莫里森,许平,刘鹿生.最新技术的PT IGBT和功率MOS的比较[J].电力电子,2004,2(3):18-20. 被引量：3
-
3向红权,苏先海,王瑛.PCB设计中的电磁兼容性[J].现代电子技术,2006,29(6):142-144. 被引量：12
-
4耿文学.IGBT与FET的比较 IGBT和功率FET工作特性[J].电子测试（新电子）,2006(6):30-36. 被引量：1
-
5刘建斌,孙军,田智会.电磁兼容与电路板的可靠性设计[J].电子工艺技术,2006,27(5):281-284. 被引量：9
-
6周操.PWM逆变电源瞬时值反馈控制技术研究[D].武汉:华中科技大学,2006.
-
7汤才刚,朱红涛,李莉,陈国桥.基于PWM的逆变电路分析[J].现代电子技术,2008,31(1):159-160. 被引量：27
-
8李锃,胡敏,邓焰.一种修正正弦波输出逆变电源的设计[J].机电工程,2008,25(1):93-95. 被引量：8
-
9郑国川.输出准正弦波的逆变电源[J].电子制作,2000,8(3):15-16. 被引量：1
-
10任瑞方.MOSFET和IGBT性能的比较[J].黑龙江通信技术,2001(1):37-38. 被引量：3
-
1陈建文.强电流短脉冲高亮度电子显微镜的设想[J].中国激光,1992,19(1):71-71.
-
2荆玲.DX 600中波发射机合成器故障的主要检测方法及其解决措施分析[J].科技风,2017(6):188-188. 被引量：2
-
3宁剑功.DX600中波发射机合成器故障的主要检测方法及其解决措施分析[J].中国科技纵横,2016,0(4):69-69.
-
4李占山.高频高效功率放大器及设计[J].电子与仪表,1998(1):18-20.
-
5爱克赛：时代潮代[J].中国计算机用户,2001(46):49-49.
-
6AAT2842：电源管理芯片[J].世界电子元器件,2007(1):83-83.
-
7王伟,任雨舟,陈将伟,夏春萍,李浩,郑丽芬,李金,杨恒新,李锐.异质栅碳纳米管场效应管电学特性研究[J].微电子学,2013,43(3):419-422. 被引量：1
-
8彭晓原,李适民.高功率纵流CO2激光器高频高效开关电源研究[J].激光与光电子学进展,1996(7):87-87.
-
9面向高雷击应用环境的紧凑型抗浪涌保险丝[J].今日电子,2013(10):65-66.
-
10李芳军.关于PSM100KW发射机末级电子管的维护分析[J].中国新通信,2015,17(12):29-29. 被引量：4
;
