封装特性影响MOSFET损耗

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摘要 DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件。

作者刘鹿生

出处《电力电子》 2003年第2期51-51,共1页 Power Electronics

关键词 MOSFET 驱动器计算机外围设备损失消耗损耗同步整流器

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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