离子束增强沉积TiN的电子衍射强度和键强度

THE ELECTRON DIFFRACTION INTENSITY AND THE BOND STRENGTH OF MODIFIECATED TiN MADE BY ION BEAM ASSISTED DEPOSITION

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摘要离子束增强沉积得到的TiN表面改性薄层的电子衍射强度与氮离子的注入能量有关,利用自编程序对其电子衍射强度和键强度作了计算,结果表明注入能量较高时出现的电子衍射强度异常现象是由于晶格中部分N原子的间隙位置发生了变化,这导致键强度也产生相应的变化.

作者盛钟琦

出处《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期606-608,共3页 Acta Metallurgica Sinica

关键词表面改性 TiN 电子衍射强度键强度

分类号 O742.1 [理学—晶体学]

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