期刊文献+

硅外延用大流量超纯氢气纯化系统的设计技术

Design Technique for a High Flux Ultrapure Hydrogen Purification System for Silicon Epitaxy
下载PDF
导出
摘要 在半导体集成电路制造工艺中 ,超纯氢气是必不可少的重要工艺气体。特别是在硅外延工艺中 ,氢气对工艺质量起着决定性作用。因此 ,对氢气的指标要求比较苛刻 ,其纯度应大于99.9999% ,而且必须是大流量连续供应。文章主要从流体学和传热学两方面 ,系统地介绍了利用超低温吸附方法提纯大流量超纯氢气设备的关键设计技术。 In the manufacture of semiconductor IC's, the ultra pure hydrogen is an essential process gas, which is especially critical to the quality of epitaxy process In silicon epitaxy, the hydrogen should be 99 9999% pure, and it is required to be provided uninterruptedly in high flux With respect to hydromechanics and heat transfer, techniques critical to the design of a high flux hydrogen purification system for silicon epitaxy are dealt with
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期389-390,394,共3页 Microelectronics
关键词 硅外延 纯化系统 超纯氢气 雷诺准数 努塞尔特准数 Silicon epitaxy Hydrogen purification system Ultrapure hydrogen Reynolds Nusselt
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献2

  • 1杰伊昂特B等 任丙彦等(译).硅外延生长技术[M].石家庄:河北科学技术出版社,1992..
  • 2粱骏吾 袁桐.电子信息材料咨询报告[M].北京:电子工业出版社,2000.78-99.

共引文献1

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部