摘要
介绍了用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点的工艺方法;采用这种工艺在P型SIMOX(separationbyimplantedoxygen)硅片上成功地制造出一种单电子晶体管。
Technologies for preparation of Si quantum wire and dot based on EBL and RIE processes are reported in the paper Single electron transistor (SET) on ptype SIMOX substrates was fabricated based on these processes
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期416-418,共3页
Microelectronics
基金
西安理工大学校长基金资助(No.210201)
关键词
纳米结构
单电子晶体管
量子线
量子点
Nano-structure
Single electron transistor (SET)
Quantum wire
Quantum dot