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LDD NMOS器件热载流子退化研究 被引量：1

A Study on Hot Carrier Degradation in LDD NMOSFET's
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摘要 　对LDD(轻掺杂漏)NMOS器件的热载流子退化特性进行了研究,发现LDDNMOS器件的退化呈现出新的特点。通过实验与模拟分析,得出了热载流子应力下LDDNMOS退化特性不同于常规(非LDD)NMOS的物理机制。并通过模拟对此观点进行了验证。 The hotcarrier degradation in LDD NMOSFET's was studied It was found that the hot carrier degradation in LDD NMOSFET's exhibited characteristics different from that of nonLDD NMOSFET's The physical mechanism related to the phenomena was proposed and validated through experiments and simulations
作者 刘海波 郝跃 张进城 刘道广
机构地区 西安电子科技大学微电子研究所
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期445-448,共4页 Microelectronics
关键词 轻掺杂漏 MOS器件 热载流子退化 界面态 Lightly doped drain (LDD) MOSFET Hot carrier degradation Interface state
分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献7

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二级参考文献3

共引文献3

同被引文献15

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引证文献1

二级引证文献2

微电子学
2002年 第6期

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