中小功率晶体管芯片背面金属化的研制

Design of High Voltage and Large Current BiFET Power Transistor

中小功率晶体管芯片制造完成后,要封装成成品就必须制备集电极,而制备集电极则必须解决金属与半导体接触的问题。在一般情况下,金属和半导体接触会形成接触势垒,电流以不同方向流过接触处时将显示整流特性,这种附加的单向导电性将使晶体管不能正常工作。在器件制造过程中,要求金属与半导体不能存在整流效应,即电压——电流关系符合欧姆定律,这种接触称为欧姆接触。中小功率晶体管芯片背面金属化的目的就是使集电极形成良好的欧姆接触,经过背面金属化的芯片具有饱和压降(Vcesat)小、焊接可靠、易于实现自动化生产等优点。