出处
《技术与市场》
2001年第4期25-26,共2页
Technology and Market
同被引文献12
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1赵义善.引人注目的高新材料──纳米材料[J].航空制造工程,1994(11):29-31. 被引量:2
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2严东生.纳米材料的合成与制备[J].无机材料学报,1995,10(1):1-6. 被引量:144
-
3刘艳红,郭宝海,马腾才.射频磁控溅射沉积SiO_2膜的研究[J].大连理工大学学报,1997,37(2):204-207. 被引量:5
-
4KUNDUY S,HAZRAY S,BANERJEEY S,et al.Morphology of thin silver film grown by dc sputtering on Si(001)[J].J Phys D:Appl Phys,1998,31(23):L73-L77.
-
5VALERON E.Vacuum Solutions - Sputtering Advance Reaches the Target[M].Institute of Physics Publishing,UK,1998.
-
6.探索制造纳米复合磁体新径[N].中国冶金报,2001-08-22.
-
7孔令英.影响磁控溅射膜质量的工艺因素[J].半导体技术,1997,13(5):21-23. 被引量:12
-
8薛增泉.纳米电子学[J].现代科学仪器,1998,15(1):8-12. 被引量:7
-
9邹德恕,徐晨,罗辑,陈建新,高国,魏泽民,沈光地.射频溅射SiO_2在制造Si/SiGeHBT中的应用[J].半导体技术,1999,24(4):12-14. 被引量:3
-
10韩高荣,汪建勋,杜丕一,张溪文,赵高凌.纳米复合薄膜的制备及其应用研究[J].材料科学与工程,1999,17(4):1-5. 被引量:28
二级引证文献16
-
1肖居霞,魏取福.沉积纳米尺度金属膜制备电子纺织材料[J].电子器件,2007,30(6):1988-1990. 被引量:6
-
2杨武保.磁控溅射镀膜技术最新进展及发展趋势预测[J].石油机械,2005,33(6):73-76. 被引量:22
-
3徐万劲.磁控溅射技术进展及应用(上)[J].现代仪器,2005,11(5):1-5. 被引量:48
-
4李喜波,唐晓红,吴卫东,唐永建,王红艳,杨向东.磁控溅射法制备金团簇纳米颗粒及性能表征[J].强激光与粒子束,2006,18(6):1023-1026. 被引量:9
-
5陈惠敏,郭福强,张保花.Properties of CdTe nanocrystalline thin films grown on different substrates by low temperature sputtering[J].Journal of Semiconductors,2009,30(5):18-21. 被引量:1
-
6孟灵灵,黄新民,王春霞.金属化纺织材料制备技术[J].纺织科技进展,2009(6):7-8. 被引量:6
-
7孟灵灵,黄新民,王春霞.溅射镀膜技术在织物金属化中应用[J].天津纺织科技,2009,47(4):25-27. 被引量:6
-
8易早,牛高,韩尚君,李恺,罗江山,陈善俊,易有根,唐永建.玻璃基底上三角纳米银的原位生长与光谱特性研究[J].原子能科学技术,2010,44(11):1366-1370. 被引量:1
-
9陶兰初,樊振军,刘育,李素云.磁控溅射参数变化对铌膜超导特性的影响[J].中国电力教育(下),2011(5):179-180. 被引量:5
-
10李芬,朱颖,李刘合,卢求元,朱剑豪.磁控溅射技术及其发展[J].真空电子技术,2011,24(3):49-54. 被引量:59
-
1安孝玲,刘利国.硬质合金刀具类金刚石涂层的摩擦磨损性能[J].电镀与涂饰,2009,28(6):68-70. 被引量:5
-
2王志,巴德纯,蔺增,曹培江,刘飞,梁吉.气体配比对硼掺杂碳纳米管生长特性的影响[J].新型炭材料,2005,20(4):350-354. 被引量:1
-
3王志,巴德纯,蔺增,刘飞.催化剂、基底对ECR-CVD法制备碳纳米管的影响[J].东北大学学报(自然科学版),2004,25(10):980-983. 被引量:4
-
4李社强,江南,王太宏.低温等离子体增强化学气相沉积技术制备碳纳米管[J].真空,2004,41(4):40-46. 被引量:3
-
5桑利军,陈强.ECR-RF双功率源等离子体化学气相沉积制备类金刚石薄膜的研究[J].包装工程,2008,29(10):25-27. 被引量:5
-
6王志,巴德纯,曹培江.用ECR-CVD方法制备定向碳纳米管[J].材料研究学报,2004,18(4):412-418.
-
7真空镀SiOx高阻透薄膜[J].真空电子技术,2005,18(5):59-59.
-
8王志,巴德纯,曹培江,梁吉.硼掺杂对碳纳米管形貌和结构的影响[J].东北大学学报(自然科学版),2005,26(6):582-584.
-
9董志武,韩兆让,杨延华.氧化硅涂塑包装膜与等离子体化学气相淀积(PECVD)技术[J].包装工程,1997,18(2):53-54. 被引量:1
-
10叶超,康健,宁兆元,程珊华,陆新华,项苏留,辛煜,方亮.α-C∶F薄膜的键合结构与电子极化研究[J].功能材料,2001,32(5):499-501.
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