低频内耗方法研究纳米晶Al块体材料的退火效应

运用低频内耗温度谱和ＴＥＭ显微观察，系统研究了由含Ｈ等离子蒸发制备的粉料经冷压得到的 纳米晶Ａｌ试样的滞弹性行为及结构演化过程．结果表明：当Ｔ预通火＜８２３Ｋ时，内耗Ｑ－１随温度指数增加； 当８２３Ｋ≤Ｔ预通火≤８９３Ｋ时，内耗Ｑ－１的温度谱在指数背景上出现分布很宽的弛豫峰Ｐ０．该峰远低于经典 的粗晶Ａｌ的晶界峰；峰的激活能为（１．２０±０．０５）ｅＶ，介于粗晶Ａｌ沿晶界扩散的激活能与晶格扩散激活能 之间．８９３ Ｋ预退火４０ｍｉｎ后进行８５％冷轧量变形并经７２７ Ｋ退火６０ｍｉｎ的纳米晶Ａｌ，内耗Ｑ－１随温度的变 化表现为双弛豫峰Ｐ１和 Ｐ２．Ｐ１峰的激活能为（１．２２±０．１８）ｅＶ，Ｐ２峰的激活能为（１，５３±１６）ｅＶ．Ｐ１峰温 和激活能与Ｐ０峰相当，Ｐ２峰温和激活能与粗晶Ａｌ晶界峰相当，ＴＥＭ显微观察表明纳米晶Ａｌ的晶间结构及 晶粒形状随预退火和冷变形处理发生了改变．根据上述结果，对预退火及冷变形处理引起的纳米晶Ａｌ的结 构变化和内耗本质进行了探讨．