摘要
以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析。
A metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector was fabricated on wide bandgap undoped n-GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD).The device is visible blind,with an ultraviolet/green contrast of near three orders of magnitude.The detector exhibits a sharp cut-off at 362 nm wavelength with peak responsivity of 0.71 A/W at bias of 1.5 V.We measure Schottky junction through breakdown other side of the Schottky junction,and analyze working mode and design optimization of this device.
出处
《光电子技术》
CAS
北大核心
2009年第1期11-13,共3页
Optoelectronic Technology
基金
国家自然科学基金资助项目(60807038)
关键词
紫外探测器
可见盲
宽带隙
UV photodetector
visible blind
wide bandgap
