摘要
近几年来 ,锗硅合金晶体生长技术受到人们关注。这主要是因为锗硅合金晶体具有随二者组分变化禁带宽度和载流子迁移率也随之改变的特点 ,因而被人们认为是新兴的“带隙工程材料” ,在热电子能量转换器件、光电子器件、太阳电池、温度敏感元件、中子和X射线的Bragg反射器件以及梯度功能材料领域都具有巨大的潜在应用价值。目前 ,这种材料的物理性质随局部组分变化的特性已经开始在空间科学、军事科学和某些特殊领域中应用。在这些领域中 ,往往要求使用体单晶而不是薄膜 ,因此研究合金晶体生长技术具有很大实用价值。硅锗在熔体和固态都是完全可以互熔的。但由于硅 锗相图中固相线和液相线分离很大 ,没有相交点 (共晶点 ) ,因此导致了锗在硅中宏观和微观分凝现象十分严重 ,容易出现组分过冷和条纹状生长 ,严重时很难长成单晶体。如何从熔体中生长出合适的锗硅合金单晶是晶体生长工作者的主要课题之一。国外近几年采用了多种工艺 (包括CZ法 )制备了锗硅合金晶体。掺Geipe浓度最大可达到 2 2 % ,晶体直径可达48mm。在直拉法生长晶体时 ,熔体中无规则热对流是影响晶体质量的因素之一 ,热对流的大小可用无量纲Grashoff数表征Gr =gβΔTb3 υ-2式中 g为重力加速度 ,β为溶体热膨胀系数 ,ΔT为熔体在特征长?
出处
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2000年第S1期-,共2页
Journal of Synthetic Crystals
基金
国家自然科学基金资助项目
