摘要
讨论了高能质子辐照产生缺陷类型及其对晶闸管开关特性的影响。不同能量的单束质子辐照和双束质子辐照晶闸管 ,提高了其开关特性。由红外吸收光谱得知 ,影响晶闸管通态压降的主要因素是单空位缺陷类型。
The different defects in proton-irradiated silicon is analyzed.The switching properties of thyristors are improved by sigle and dual energy proton irradiation and the IR spectrum studies show that the vacancy pairs cause the rises of VTM(voltage drop in on-state).
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第z1期37-40,共4页
Atomic Energy Science and Technology
