摘要
报道了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果。系统地介绍了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,B r2-CH3OH与HgCdT e化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制。阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdT e光伏器件电学特性的影响。
The XPS result of anodic sulfide+ZnS Passivation is briefly reported.Preparation and basic principle of Br2-CH3OH surface treatment,chemical components of anodic sulffide layer and growing theory are presented completely.Finally,component distribute at different depth of the passivation structure and effect on PV device are described.
出处
《光电子技术》
CAS
北大核心
2009年第2期82-88,共7页
Optoelectronic Technology
基金
国家自然科学基金资助项目(60876045)
上海市重点学科建设项目(530105)
上海市教委创新基金(08YZ12)
上海大学-索朗光伏材料与器件R&D联合实验室的发展基金资助课题(SS-E0700601)
