第三代功率MOSFET
出处
《半导体信息》
2009年第2期25-,共1页
Semiconductor Information
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1黄玉英.功率MOSFET供应紧张至少持续到明年Q1[J].半导体信息,2010,0(6):30-31.
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2电源管理半导体产业在中国大有盼头[J].电源技术应用,2009,12(4):55-55.
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3郑冬冬.2011年中国功率MOSFET市场放缓的两个因素[J].半导体信息,2011(3):37-37.
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4盛柏桢.上海华虹NEC电子与AOSL共同开发功率MOSFET工艺技术[J].半导体信息,2003,0(1):18-19.
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5英飞凌和博世签订功率半导体合作协议[J].电子与电脑,2009,9(4):99-100.
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6Vishay推出超小外形尺寸[J].中国电子商情,2013(10):88-88.
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7Won-suk Choi,Sung-mo Young,Dong-wook Kim.中压功率MOSFET针对同步整流最佳化成效卓著[J].中国电子商情,2011(6):38-43.
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8飞利浦多重市场半导体推出系列新产品[J].电子设计应用,2005(1):97-97.
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9江兴.SiZ710DT:功率MOSFET[J].半导体信息,2011,0(1):4-4.
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10章从福.Vishay推出业界最薄的新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET[J].半导体信息,2008,0(4):29-30.
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