三垦公司宣布造出首只GaN/Si倒相器
出处
《半导体信息》
2009年第3期13-,共1页
Semiconductor Information
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1刘广荣.TriQuint的GaN／Si HEMT达到创纪录的功率水平[J].半导体信息,2005,0(3):34-34.
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2TriQuint的GaN／Si HEMT达到创纪录的功率水平[J].电子元器件应用,2005,7(2):34-34.
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3邓志杰.“第5届欧洲SiC及相关材料会议”——重点讨论衬底和外延生长[J].现代材料动态,2005(6):4-6.
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4苏州纳米所GaN/Si功率开关器件研究获得重要突破[J].人工晶体学报,2012,41(3):567-567.
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5陈裕权.STMicroelectronics制造出GaN/Si(001)HEMT[J].半导体信息,2006,0(4):29-29.
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6陈裕权.TriQuint的GaN/Si HEMT达到创纪录功率水平[J].半导体信息,2004,0(6):28-29.
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7赵少云,韦文生.GaN/SiC异质结正向恢复行为的数值模拟[J].材料导报,2016,30(8):143-148. 被引量：1
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8邓志杰（摘译）.英国在GaN／Si LED方面取得突破[J].现代材料动态,2010(2):2-3.
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9Marktech Optoelectronics绿色LED[J].电子产品世界,2004,11(11B):45-45.
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10陈裕权.中国大陆开发出第一支近UV激光二极管[J].半导体信息,2005,0(5):5-6.
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