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190V N沟道功率MOSFET

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作者刘广荣

出处《半导体信息》 2009年第3期22-,共1页 Semiconductor Information

关键词 MOSFET 沟道导通电阻

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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半导体信息

2009年第3期

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