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我第一条百吨级高档光刻胶生产线投产
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作者
刘广荣
出处
《半导体信息》
2009年第3期38-39,共2页
Semiconductor Information
关键词
光刻胶
光致抗蚀剂
辅料
生产线
分类号
F42 [经济管理—产业经济]
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1
章从福.
东芝开发出用于EUV曝光的低分子光刻胶分辨率达到22nm[J]
.半导体信息,2009,0(6):27-28.
2
王传声,姚莉.
等离子清洗在混合集成电路上的应用[J]
.混合微电子技术,1999,10(2):60-63.
半导体信息
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