新日本无线株式会社推出高性能GaAs MMIC LNA
出处
《半导体信息》
2009年第4期10-,共1页
Semiconductor Information
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1NJG1129MD7：低噪声放大器GaAs MMIC[J].世界电子元器件,2009(2):40-40.
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2戴永胜.X和Ku波段GaAs MMIC低噪声放大器的测量及其研究[J].半导体情报,1994,31(4):22-25.
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3林金庭.GaAs MMIC应用展望[J].固体电子学研究与进展,1995,15(1):1-5. 被引量：5
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4STB参考板：参考板[J].世界电子元器件,2012(3):41-41.
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5张瑞昌."GM-CL4"型CO_2激光器[J].四川激光,1981,2(2):43-43.
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6李涵秋.GaAs MMIC在移动通信中的应用[J].固体电子学研究与进展,1995,15(4):396-402. 被引量：2
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7电盛兰达株式会社 AC／DC电源模块系列[J].流程工业,2006(12):72-72.
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8檀心芬.住友株式会社吹田制作所取得质量认证的经历[J].福建标准化信息,1996(2):13-15.
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9超小型3色发光型LEDPicoled—RGB[J].电子制作,2007(8):4-4.
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10日本推出首款卫星定位系统飞行监视器[J].全球定位系统,2012,37(6):83-83.
