第三代12 V TrenchFET功率MOSFET
CoolMOS MOSFET
出处
《半导体信息》
2009年第5期11-12,共2页
Semiconductor Information
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3SiA444DJT／SiA429DJT功率MOSFET[J].世界电子元器件,2011(4):34-34.
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6SiB408DK／412DK：N沟道功率MOSFET[J].世界电子元器件,2009(9):42-42.
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7SiA923EDJ：功率MOSFET[J].世界电子元器件,2011(4):34-34.
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8SiR870DP／Si4190DY：功率MOSFET[J].世界电子元器件,2011(4):34-34.
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9Vishay推出具有业内最低RDS（on）的P沟道MOSFET[J].中国集成电路,2014,23(3):3-3.
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10赵佶.Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET[J].半导体信息,2014(1):5-5.
