飞秒激光烧蚀制备大面积均匀纳米结构方面获重要进展
出处
《半导体信息》
2009年第5期9-10,共2页
Semiconductor Information
-
1郭士东,王树振.纳米技术[J].微处理机,1999,20(3):1-3. 被引量:1
-
2二十一世纪半导体技术发展的新领域[J].电子参考,1996(1):10-13.
-
3秦大甲.光放大器的重要进展吸引了世界的注意[J].文献快报(纤维光学与电线电缆),1995(4):6-9.
-
4解思深.纳米结构中的量子问题[J].物理,2001,30(5):306-309.
-
5纳米结构硅二极管产生受激发射[J].激光与光电子学进展,2004,41(10):61-61.
-
6任摘.索爱第五代P系列智能手机[J].军民两用技术与产品,2007(6):16-16.
-
7李廷军,姜文利,王新政,陈贻焕.发展中的雷达目标识别[J].现代雷达,2000,22(6):1-5. 被引量:12
-
8我国5G技术研发获重大突破[J].中小学信息技术教育,2017,0(1):6-6.
-
9王太宏.一种实用新型单电子晶体管[J].微电子技术,2001,29(6):45-49. 被引量:1
-
10王明.中科院阻变存储器的传输机制研究获重要进展[J].军民两用技术与产品,2014,0(16):23-23.
;