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一种低温漂CMOS带隙基准电压源的设计

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摘要 在A/D和D/A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中,都需要高精度、高稳定性的基准电压源,并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式,其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点,因而得到了广泛的应用。本文设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源,并在SMIC0.25μmCMOS工艺条件下对电路进行了模拟和仿真。
作者 梁焰 吴玉广
出处 《科技资讯》 2007年第30期68-69,共2页 Science & Technology Information
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参考文献3

  • 1[1]A new NMOS temperature stable voltage reference ; R.A.Blauschild,P.A.Tucci,R.S.Muller,and R.G.Meyer.IEEE J.solid-state sircuit vol.SC-13,pp.767-774,Dec.1978.
  • 2[2]CMOS Voltage Reference,YANNIS P.TSIVIDIS,MEMBER,IEEE,AND RICHARD W.ULMER.
  • 3[3]Design of Analog CMOS Integrated Circuit,Behzad Razavi.

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