提高可控硅耐压攻关记

The Reminiscences of Tackle Key Problems on the Increasing Voltage of SCR

硅晶闸管在国内的问世,应该说是我国电力电子时代发展成长的标志。20世纪60年代国内在“扩散-合金法”工艺(要用到相当多的黄金,具体数据请见《电力电子》杂志2004年3期60页)基础上,可控硅(后来国际上正式命名为晶体闸流管,简称晶闸管)发展到600V/200A的水平。70年代到来之前,几个主要单位完成了“双扩散法”制造晶闸管芯片的工艺,发展到了1000V/500A的水平,而且节约了大量黄金。因此,这两种基本工艺的研制成功应该是我国可控硅发展史上的两大里程碑。但是,在双扩散工艺基础上,如何把晶闸管的耐压水平提高到2500V级水平,以适应直流传动在轧钢、牵引等领域(直流电机额定电压为750～850V)的迫切需要呢?当时,机械工业部组织了该课题的攻关。清华大学的顾廉楚老师(当时是副教授)参加了该攻关的全过程,是主力之一。他写下了这篇回忆。这篇回忆,既记下了技术攻关的曲折,对可控硅设计、制造规律的艰苦探索;而且在文化革命的背景下,反映了在极左思潮泛滥的年代,广大知识分子被视为革命对象而受到的精神压力,令人不堪忍受;但是,也就是在这种恶劣的大气候下,相当一些像顾老师为代表的中国知识分子顶住压力,以巨大的爱国心、事业心,在难以想像的精神条件和物质条件下,坚持科研,献身事业,取得了可喜的成绩。他们的所作所为是在非常时期中自觉地完成的,早已升华到忘记个人荣耻的高度。这种精神难能可贵,值得后来人学习和继承。文化革命中在各条战线上之所以能出了一些成果,正是由于有这样一批不计荣耻的知识分子和工农结合,坚持理论联系实际,推动了历史的进展。本刊开辟《PE轶闻》栏目,就是希望知情人,特别是当事人,把我国电力电子事业发展过程中的里程碑事件,如实地记录下来,以飨后人。继高压攻关之后,北京可控硅短训班、一米七轧机用晶闸管攻关、援助罗马尼亚(区熔硅单晶和陶瓷-金属外壳)、技术和设备引进等都是器件制造中的重要里程碑。在应用装置制造中也有许多值得回忆、应该留给历史记录的。应该说,这些事件发生时,难免有恩怨,存在不同意见,可以说,即使今天看来做了错事的某些人,主要是受那个年代的影响,已成为历史;今天是非已清,对事不对人:表扬正确的、留下他们的芳名;记录错误的事情与做法,引以为戒,更加衬托正确一方的品质高尚,而隐匿做了错事人的名字。至于技术、科研上的争论,纯属正常,更没有必要追记当事人的名字了。本刊连续3年在《PE轶闻》中已发表了二十多篇回忆。鉴于年隔悠久,难免有人名、单位名不准确,乃至遗忘、弄错了的,欢迎广大读者来信、来文斧正。当然,在本栏目中,除了历史记录之外,也欢迎大家就现实中的某些与电力电子有关的问题、信息,请投稿谈出自己的看法,以达到互相交流、共同提高的目的。总之,希望大家喜欢这个栏目,爱护这个栏目,投稿这个栏目。我们愿以这个栏目,为我国电力电子发展中的事件、人物树碑立传,为全行业服好务。静候大家的批评、建议和反应。