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InGaAs短波红外探测器 被引量：5

InGaAs shortwave infrared detector
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摘要 与InP衬底晶格常数相匹配的In0.53Ga0.47As材料能够制作出高质量的光电探测器,可工作在室温或热电制冷条件下,光响应谱范围为0.92～1.7μm,具有高达80%以上的量子效率.通过对InGaAs探测器芯片平面和平台式结构的分析,以及InGaAs芯片和HgCdTe芯片的性能测试、比较,充分证明了InGaAs材料芯片的优越性及研制在室温下工作的高性能InGaAs探测器的可行性.对InGaAs芯片相对光谱特性的测试表明,InGaAs材料温度响应重复性较好.
作者 潘建旋 以善珍 周航宇
机构地区 天津津航技术物理研究所
出处 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期202-205,共4页 Infrared and Laser Engineering
关键词 短波红外 INGAAS 探测器 室温
分类号 TN21 [电子电信—物理电子学]
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参考文献5

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同被引文献62

引证文献5

二级引证文献37

红外与激光工程
2007年 第z1期

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