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1 550 nm升频单光子探测器的特性分析

Analysis of 1550 am up-conversion single-photon detector
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摘要 分析了一种工作波长为1550 nm,利用铌酸锂周期极化波导和硅雪崩二极管构成的升频单光子探测器的性能,给出了应用这种探测器的理想通信系统的结构组成,讨论了升频单光子探测器主要参数:量子效率和暗记数及其与泵浦功率的关系.通过比较得出升频探测器优于传统的InGaAs/InP雪崩二极管单光子探测器,能很好地改善量子通信系统的性能.
作者 冯晨旭 焦荣珍
机构地区 北京邮电大学
出处 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期206-208,共3页 Infrared and Laser Engineering
基金 国家自然科学基金资助项目(60544002)
关键词 单光子探测 量子效率 暗记数
分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]
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参考文献7

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二级参考文献3

共引文献7

红外与激光工程
2007年 第z1期

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