期刊文献+

DPLBT型高频硅光电负阻器件的研制

Fabrication of DPLBT High Frequency Silicon Photo-negative Resistance Device
下载PDF
导出
摘要 研制出特征频率 fT≥ 2 2 0MHz ,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件———达林顿光电λ型双极晶体管 (DPLBT) ,并首先用发光二极管 (LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成一种和常规光电耦合器不同的具有光电流开关、光控电流双稳态和光控正弦波振荡多种功能的新型光电耦合器 (PCDPLBT)。 Photo negative resistance device--Darlington photo Lambda bipolar transistor(DPLBT) with the cut off frequency f T over 220 MHz and the higher photo sensitivity and maximum peak current has been fabricated. A new photocoupler with the function of the photocurrent switching, optical bistability and the light controlled sine wave oscillation has been packaged by using a LED and a DPLBT for the first time. It is different from the conventional photo insulator.
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期16-19,32,共5页 Semiconductor Optoelectronics
基金 天津市自然科学基金资助项目 (9836 0 14 11)
关键词 光电负阻器件 光学双稳态 光控正弦波振荡器 光电耦合器 photo negative resistance device optical bistability light controlled sine wave oscillator photo insulator
  • 相关文献

参考文献7

二级参考文献16

共引文献20

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部