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InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响 被引量：3

Effect of Cavity Length on J_(th) and η_d of InGaAsP/InGaP/GaAs SQW Lasers
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摘要 利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。 InGaAsP/InGaP/GaAs SCH SQW lasers are fabricated by LP-MOCVD technology.The effect of cavity length on threshold current density and external differential quantum efficiency is discussed.
作者 李忠辉 李梅 王玲 高欣 王玉霞 张兴德
机构地区 长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期90-91,95,共3页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 分别限制结构 阈值电流密度 外微分量子效率 separate confinement heterostructure threshold current density external differential quantum efficiency
分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献4

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同被引文献22

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引证文献3

二级引证文献7

半导体光电
2002年 第2期

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