摘要
用等离子体化学气相沉积法 (PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约 1μm的非晶氮化硅 (a SiNx∶H)薄膜 ,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数 ,折射率为 1.8左右 ,光吸收系数为1.2× 10 2 ～ 2× 10 2 cm- 1,相对介电常数为 7～ 8.4 ,电荷面密度为 2 .5× 10 12 ～ 3.1× 10 12 cm- 2 。这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管 -有源矩阵液晶显示器 (TFT AMLCD)
a-SiN x∶H films with thickness of ～ 1 μm was prepared on glass substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD).Under the optimum deposition condition, such performance parameters of the films are obtained as refractive index of 1.8,optical absorbe coefficient of 1.2×10 2～2×10 2 cm -1, dielectric constant of 7～8.4, and electricity density of 2.5×10 12～3.1×10 12 cm -2.The films are suited to be used as the gate insulator in TFT-AMLCD.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期125-127,共3页
Semiconductor Optoelectronics
基金
安徽省自然科学基金资助项目 (99JL0 191)
