摘要
报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管 (LED)的实验结果。在室温下 ,正向电压为 3.3V和电流为 35 0mA时 ,其轴向亮度为 16× 10 4 cd/m2 ,可视角为 98°。
This paper reports the result of the package of InGaN/GaN blue LED with big chips?At room temperature,under the forward voltage of 3.3 V and the forward current of 350 mA,its axial brightness reaches 16×10 4 cd/m 2 with the viewangle of 98°.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期245-246,共2页
Semiconductor Optoelectronics
关键词
蓝光发光二极管
大面积点光源
超高亮度
封装工艺
blue LED
dot illuminant with big areas
superhigh brightness
package technology