摘要
研究了反应溅射法制备AlN、TiN薄膜的工艺过程 ,摸索了用于磁光盘介质层的AlN、TiN薄膜的最佳制备工艺 ,并研究了采用此工艺制备的AlN、TiN薄膜的光学性能。
A series of AlN and TiN thin films for MO disks are prepared by RF magnetron sputtering technique.Sputtering conditions of AlN and TiN films prepared by RF reactive sputtering is investigated.Furthermore, the optical characteristics of these films are discussed.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第4期267-270,共4页
Semiconductor Optoelectronics
基金
上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室基金资助项目