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MSM-PD与RTD光电集成的模拟 被引量:1

Simulation of OEIC Using MSM-PD and RTD
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摘要 设计了由谐振隧穿二极管 (RTD)为驱动器件 ,以金属 -半导体 -金属光探测器(MSM PD)为光敏元件的光电集成电路单元 ,利用通用电路模拟软件PSPICE基于其物理意义的电流 -电压方程建立直流电路模型 ,模拟其暂态特性 ,结果表明器件具有反相输出功能和双稳态特性。 This paper describes a monolithic OEIC that uses resonant tunneling diodes (RTDs) and metal-semiconductor-metal photo detectors (MSM-PDs). The principle of operation is described and its transient character is analyzed using PSPICE. The results prove that the circuits have ability in optical control and high speed switching.
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期303-305,共3页 Semiconductor Optoelectronics
基金 国家自然科学基金资助项目 (6 0 1770 10 ) 天津市自然科学基金资助项目 (0 136 0 1411)
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参考文献5

  • 1[1]Shimizu N. In0.53Ga0.47As/AlAs resonat tunnelling diodes with switching time of 1.5ps[J]. Electron. Lett., 1995, 31(19): 1695-1696.
  • 2[2]Xiang A, Wohlmuth W, Fay P, et al. Modeling of InGaAs MSM photodetector for circuit-level simulation[J]. J. Lightwave Technol., 1996, 14(5): 716-723.
  • 3[3]Schulman J N, De Los Santos H J. Physics-based RTD current-voltage equation[J]. IEEE Electron Device Lett., 1996,17(5):220-222.
  • 4[4]Sano K, Murata K, Otsuji T, et al. An 80Gb/s optoelectronic delayed flip-flop IC using resonanl tunneling diodes and uni-traveling-carrier photodiode[J]. IEEE J. Solid State Circuits, 2001, 36(2): 281-288.
  • 5[5]Sano E. A device model for metal-semiconductor-metal photodetectors and its applications to optoelectronic integrated circuit simulation[J]. IEEE Tran. Electron Devices, 1990, 37(9): 1964-1967.

引证文献1

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