期刊文献+

LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析 被引量:4

Analysis of Fogging During Deposition of Polysilicon Thin Film in LPCVD System
下载PDF
导出
摘要 叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理 ,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素 ,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象。 The mechanism of deposition polysilicon thin film in LPCVD system is described. The origin of the fogging during the process of deposition of polysilicon thin film is analyzed. A novel effective method to eleminate the fogging is proposed.
出处 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期421-423,共3页 Semiconductor Optoelectronics
关键词 LPCVD 淀积 多晶硅 发雾 LPCVD deposition polysilicon fogging
  • 相关文献

同被引文献21

引证文献4

二级引证文献7

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部