期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

不同制备工艺对ZnS光学性能的影响 被引量：2

The Optical Properties of ZnS Dependent on Different Fabricating Process
下载PDF
导出
摘要 分别用真空热压、H2S模式的化学气相沉积以及S模式的化学气相沉积3种工艺方法制备了红外透过性能良好的ZnS材料.比较了不同的工艺过程对ZnS显微结构的影响,并且分析了不同制备方法形成的缺陷对光学性能的影响.探讨了热等静压工艺改善光学性能的原因和机理.透过谱图的测试表明,S模式的化学气相沉积法制备的ZnS具有最高的可见光至远红外的透过率.对3种方法制备的ZnS分别进行了热等静压后处理,发现对材料的光学透过性能都有不同程度的提高.
作者 方珍意 潘伟 祝海峰 张力强 肖红涛 李子涛
机构地区 清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
出处 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期1066-1069,共4页 Rare Metal Materials and Engineering
关键词 ZNS 真空热压 化学气相沉积 H2S模式 S模式
分类号 TB32 [一般工业技术—材料科学与工程]
  • 相关文献

参考文献9

  • 1[1]Daniel C Harris. Infrared Physics & Technology[J], 1998, 39:185
  • 2[2]Daniel C Harris. Proc SPIE[J], 1995, 2552 (1): 325
  • 3[3]Savage J A. Glass Technology[J], 1991, 32 (2): 35
  • 4[4]Edward Carnall Jr, Paul B M, William F P et al. The Process of Molding ZnS[P], USP3, 131,238
  • 5[6]Willingham C, Klein C, Pappis J. National Bureau of Standard[J], 1983:53
  • 6[7]Jitendra S Goela, Raymond L Taylor. Journal of Materials Science[J], 1988, 23:4331
  • 7[8]Jitendra S Goela, Raymond L Taylor. SPIE Proc[J], 1989,1047:198
  • 8[9]Han Yong, Liu Zhengtang, Zhang Guifeng. Journal of Northwestern Polytechnical University[J], 1995, 13(1): 158
  • 9[10]Savage J A, Lewis K L, Pitt A M et al. SPIE Proc[J], 1984,505:47

同被引文献15

  • 1单民瑜,杨觉明,张海礁,刘秀兰.微乳液法制备ZnS纳米颗粒[J].西安工业学院学报,2005,25(3):258-261. 被引量：6
  • 2Mane R S,Lokhande C D.Studies on Chemically Deposited Cadmium Selenide (CdSe) Films[J].Thin Solid Films,1997(304):56-60.
  • 3Arafah D E,Ahmad-Bitar.Processing Effects on the Structure of CdTe,CdS and SnO2 Thin Films[J].Solar Energy Materials & Solar Cells,1998,51:83-93.
  • 4Sambhu Kundu,Larry C.Olse.Chemical Bath Deposited Zinc Sulfide Buffer Layers For Copper Indium-gallium Sulfur-selenide Solar Cells and Device Analysis[J].Thin Solid Films,2005(471):298-303.
  • 5I.O Oladeji,L Chow.A Study of the Effects of Ammonium Salts on Chemical Bath Deposited Zinc Sulfide Thin Films[J].Thin Solid Films,1999,339:148-153.
  • 6B r M Fischer,Ch-H Muffler,H-J Zweigart,et al.Replacement of the CBD-CdS buffer and the sputtered i-ZnO layer by an ILGAR-ZnO WEL:optimization of the WEL deposition[J].Solar Energy Materials & Solar Cells,2003,75:101-107.
  • 7Johnston D A,Carletto M H,Reddy K T R,et al.Chemical Bath Deposition of Zinc Sulfide Base Buffer Layer Using Low Toxicity Materials[J].Thin Solid Films,2002,403:102-106.
  • 8Battacharya R N,Ramanathan K.Cu(In,Ga)Se2 Thin Film Solar Cells with Buffer Layer Alternative to CdS[J].Solar Energy,2004,77:679-683.
  • 9李长健,王俊清,孙云,舒保健,杜兆峰.CIS/CdS薄膜太阳电池工艺探讨[J].南开大学学报（自然科学版）,1998,31(4):95-100. 被引量：5
  • 10仲维卓,华素坤.负离子配位多面体生长基元与晶体表面结构(Ⅰ)水晶(SiO_2),闪锌矿(ZnS),碘化镉(CdI_2)[J].人工晶体学报,1999,28(1):17-22. 被引量：3

引证文献2

二级引证文献7

稀有金属材料与工程
2005年 第z2期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部