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陶瓷衬底材料对多晶硅薄膜沉积质量的影响

The Effects of Ceramic Substrates on The Quality of Deposited Polycrystalline Si Thin-film
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摘要 通过对不同陶瓷衬底材料上沉积多晶硅薄膜性能的研究,分析了陶瓷材料本身的性质和热力学参数、晶体学参数等性能对多晶硅薄膜沉积质量的影响,在SiC衬底上制备了择优定向生长晶粒直径达190μm的多晶硅薄膜.
出处 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期1152-1154,共3页 Rare Metal Materials and Engineering
基金 北京市自然科学基金重点项目(2021001)
  • 相关文献

参考文献1

  • 1[1]Beaucarne G. CVD-Growth of Crystalline Si on amorphous or Microcrystalline Substrates[C]. 14th European PV Solar Engergy Conference, Barcelona, 1997:1007

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