摘要
采用固相法制备铬掺杂PMSZT压电陶瓷,研究了在不同烧结温度下铬掺杂Pb1.04(Mn1/3Sb2/3)0 05ZrxTi0.95-xO3+z%(质量分数)Cr2O3陶瓷的介电和压电性能,分析讨论了Cr2O3掺杂量以及烧结温度与相组成,显微结构和电性能的关系.结果表明,Cr2O3掺杂0.6%(质量分数),烧结温度1260℃时,PMSZT压电陶瓷的居里温度最低且电性能优良,ε33T/ε0=1650,tan δ=0.006,d33=328pC/N,Kp=0.63,Qm=2300.
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z2期934-936,共3页
Rare Metal Materials and Engineering
基金
国家自然基金委重点基金项目(10232030)
天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室资助(x06050)
