非晶Si-B-C-N陶瓷的电学特性研究

Electrical Conductivity of Amorphous Si-B-C-N Precursor-Derived Ceramics

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摘要采用高温热裂解法制备出Si-B-C-N陶瓷样品,在1100℃和1400℃退火5h后XRD结果显示两个样品均保持非晶状态.采用电流-电压直流测试方法,确定了样品在室温至1100℃温度范围内的直流电导率,材料的电导率在整个温度范围内均随着温度的升高而增大,呈现出非晶半导体的特性.退火温度升高导致电导率显著增大,这与高温退火过程中H的失去有关.

作者王岩松张立功徐世峰苗元华范翊王文全安立楠

机构地区中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林大学

出处《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期948-951,共4页 Rare Metal Materials and Engineering

基金中国科学院"百人计划"支持

关键词热裂解非晶陶瓷直流电导率退火

分类号 TN304.8 [电子电信—物理电子学]

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