α-Si3N4单晶纳米带的光致发光及激发光谱研究
Photoluminescence and Photoluminescent Excitation of Single Crystalline α-Si3N4 Nanobelts
摘要
采用催化裂解有机前驱体方法制备出单晶a-Si3N4纳米带,研究了纳米带的吸收光谱、光致发光(PL)及激发(PLE)光谱.吸收光谱表明约5.0eV禁带宽度的纳米带是间接带半导体吸收.室温下纳米带的PL光谱在1.8eV, 2.3eV和3.0eV处有3个宽峰.PLE光谱显示在能隙中存在多个能级.
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第z2期956-958,共3页
Rare Metal Materials and Engineering
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