摘要
评述硅基光子材料和器件的进展,包括硅二极管的受激发射、具有量子结构的RCE(谐振腔增进型)光电二极管、MOS高频光调制器、SOI光开关阵列和可调谐波长滤波器,重点介绍低插入损耗、快响应的SOI基热光波导开关阵列的最新结果.以SOI为基片,成功地研制出带有全内反射(TIR)镜的重排无阻塞型光开关阵列,并首次研制出16×16阻塞型光开关阵列.在1.55μm波段,插入损耗和偏振相关性随着器件长度的增加而略微增大.如果器件的末端镀上抗反射膜,插入损耗会降低2～3dB,这些器件的上升和下降时间分别为2.1和2.3μs.
基金
国家自然科学基金(批准号:60336010),国家重点基础研究发展规划(批准号:G32000-03-66)及国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312060)资助项目Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60336010),the State Key Development Program for Basic Research of China(No.G2000-03-66),and the National High Technologh Research and Development Program of China(No.2002AA312060)
