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用于InP HBT的Agilent HBT模型参数提取流程

Agilent HBT Model Parameters Extraction Procedure For InP HBT
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摘要 介绍了Agilent HBT大信号模型参数提取方法,继承并改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提取方法,以及对分布电容、本征电阻和渡越时间的参数提取技术,并对单指InP HBT器件进行了测量和仿真.实验结果表明,该模型对InP HBT直流特性及50MHz~25GHz频率范围内的交流小信号特性都能进行较好的表征.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期443-447,共5页 半导体学报(英文版)
基金 国防科技重点实验室基金资助项目(批准号:9140c0605010702)
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参考文献8

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