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温度对ULSI硅衬底化学机械抛光去除速率及动力学的控制

Control Action of Temperature on ULSI Silicon Substrate CMP Removal Rate and Kinetics Process
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摘要 对材料表面化学机械高精密加工的动力学过程及控制过程进行了深入研究.根据大量实验总结出了CMP的七个动力学过程,在ULSI衬底单晶硅片的CMP研究过程中,确定了在相同机械作用条件下由温度引起的化学过程为CMP控制过程,对影响化学反应的关键因素进行了有效的优化,实现了多材料CMP速率的突破性提高.
作者 刘玉岭 牛新环 檀柏梅 王胜利
机构地区 河北工业大学信息工程学院
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期62-66,共5页 半导体学报（英文版）
基金 天津市自然科学基金(批准号:043801211),高等学校博士学科专项科研基金(批准号:20050080007)及国家自然科学基金(批准号:10676008)资助项目Project supported by the Major Project of the Natural Science Foundation of Tianjin (No. 043801211),the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (No. 20050080007), and the National Natural Science Foundation of China (No. 10676008)
关键词 化学机械抛光 动力学过程 控制过程 硅衬底 去除速率 抛光温度
分类号 TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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参考文献11

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Journal of Semiconductors
2007年 第z1期

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