应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响

Effect of the Thickness of the Strained Si on Hall Mobility

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摘要用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.

作者王琦王荣华夏冬梅郑有炓韩平俞慧强梅琴谢自力修向前朱顺明顾书林施毅张荣

机构地区南京大学物理学系

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期130-132,共3页 半导体学报（英文版）

基金国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604900),国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A142).国家自然科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(批准号:9140C1404010605)资助项目

关键词应变SI SIC 化学气相沉积霍尔迁移率

分类号 TN304.1 [电子电信—物理电子学]

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