大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷

Dislocations and Microdefects in Large Diameter SI-GaAs

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摘要利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.

作者赵彦桥刘彩池郝秋艳孙卫忠

机构地区河北工业大学信息功能材料研究所

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期133-136,共4页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金(批准号:60276009)和河北工业大学博士科研启动基金资助项且

关键词 SI-GAAS 化学腐蚀法位错微缺陷

参考文献2

1[2]Abrahams M S,Buiocch C J.Etching of dislocations on the low index faces of GaAs.Appl Phys,1965,36(9):2855
2[5]Abrahams M S,Buiocchi C J,Tietjen J J.Derection of seleniam clustering in GaAs by transmission electron microscopy.J Appl Phys,1967,38:760

Journal of Semiconductors

2007年第z1期

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