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ZnO/p-Si异质结构的电学输运特性 被引量：1

Electrical Transport Properties of ZnO/p-Si Heterostructure
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摘要 采用等离子体浸没离子注入沉积方法,在p型Si衬底上制备了具有整流特性的、非故意掺杂的以及掺氮的ZnO/p-Si异质结.非故意掺杂的ZnO薄膜为n型(电子浓度为1019cm-3数量级),掺氮的ZnO薄膜为高阻(电阻率为105Ω·cm数量级).非故意掺杂的ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,当偏压大于0.4V,电流遵循欧姆定律.然而对于掺氮的ZnO/p-Si样品,当偏压小于1.0V时,电流表现为欧姆特性,当偏压大于2.5V时,电流密度与电压的平方成正比的关系.分别用Anderson模型和空间电荷限制电流模型对非故意掺杂和掺氮的ZnO/p-Si异质结二极管的电流输运特性进行了解释.
作者 顾启琳 陈旭东 凌志聪 梅永丰 傅劲裕 萧季驹 朱剑豪
机构地区 香港大学物理系
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期149-152,共4页 半导体学报（英文版）
基金 香港特别行政区研究资助局资助项目(批准号:7032104)
关键词 PIII&D ZnO/p-Si异质结 ANDERSON模型 空间电荷限制模型 电流输运
分类号 O472 [理学—半导体物理]
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同被引文献5

引证文献1

二级引证文献1

Journal of Semiconductors
2007年 第z1期

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