ZnO:LiCl/p-Si薄膜中的施主-受主发光

Donor-Acceptor Luminescence in ZnO:LiCl/p-Si Films

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摘要用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在p-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃,O2-900℃热退火处理.在77～325K温度范围内作电流-温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DLTS测量获得的两种试样中存在一个稳定的深能级中心.(I-T)测量证实这个深能级中心是与ZnO的本征缺陷相关的.室温PL谱测量得到两种试样存在较强的深能级发光,而紫外发光较弱.由实验结果推测,试样主要的深能级发光过程是电子从双离化Zni**施主能级向单离化V'zn受主能级的跃迁.在O2气氛退火作用下深能级的发光强度增强.

作者刘磁辉徐小秋钟泽傅竹西

机构地区中国科技大学物理系

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期171-174,共4页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金资助项目(批准号:50472009,10474091和50532070)

关键词氧化锌薄膜 I-V特性深能级施主-受主发光

分类号 O472+.4 [理学—半导体物理]

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