半绝缘InP长单晶的生长被引量：3

Semi-Insulating Long InP Single Crystal Growth

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摘要通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80～100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.

作者孙聂枫毛陆虹郭维廉周晓龙杨瑞霞张伟玉孙同年

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期186-189,共4页 半导体学报（英文版）

基金国家自然科学基金资助项目(批准号:60276008)

关键词 INP 孪晶直径

参考文献3

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Journal of Semiconductors

2007年第z1期

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