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半绝缘InP长单晶的生长
被引量:
3
Semi-Insulating Long InP Single Crystal Growth
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摘要
通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个关键因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率.在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为50mm,长190mm和直径80~100mm,长150mm的半绝缘InP单晶.
作者
孙聂枫
毛陆虹
郭维廉
周晓龙
杨瑞霞
张伟玉
孙同年
机构地区
天津大学电子信息工程学院
河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室
河北工业大学信息工程学院
天津农学院机电工程系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第z1期186-189,共4页
半导体学报(英文版)
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:60276008)
关键词
INP
孪晶
直径
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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[2]Kohiro K,Othta M,Oda O.Growth of long-length 3 inch diameter Fe-doped InP single crystals.J Cryst Growth,1996.158:197
2
[3]Yabuhara Y,Kawarabayashi S,Toyoda N,et al.Development of low EPD SI long 2-inch InP single crystals by the VCZ method.IPRM,1991:309
3
[8]Sun Niefeng,Mao Luhong,Zhou Xiaolong,et al.Large diameter Sn-doped InP single crystal growth by LEC method.IPRM,2004:495
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6
1
DONG Zhiyuan,ZHAO Youwen,ZENG Yiping,DUAN Manlong,LIN Lanying.
Deep level defects in high temperature annealed InP[J]
.Science China(Technological Sciences),2004,47(3):320-326.
被引量:2
2
赵有文,陈旭东,孙同年,刘思林,杨光耀.
LEC─InP晶体中孪晶现象的分析[J]
.半导体情报,1995,32(4):8-12.
被引量:1
3
孙聂枫,周晓龙,陈秉克,孙同年.
InP单晶材料现状与展望[J]
.电子工业专用设备,2005,34(10):10-14.
被引量:10
4
张英杰,邓爱红,幸浩洋,龙娟娟,喻菁,于鑫翔,程祥.
正电子深能级瞬态谱在Ga As缺陷研究中的应用[J]
.四川大学学报(自然科学版),2008,45(3):586-590.
被引量:4
5
徐永强,李贤臣,孙聂枫,杨光耀,周晓龙,谢德良,刘二海,孙同年.
Φ100mm掺硫InP单晶生长研究[J]
.半导体技术,2004,29(3):31-34.
被引量:4
6
周晓龙,安娜,孙聂枫,徐永强,杨光耀,谢德良,刘二海,李光平,周智慧,董彦辉,孙同年.
富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究[J]
.固体电子学研究与进展,2004,24(1):134-137.
被引量:3
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3
1
孙聂枫,赵有文,孙同年.
InP中的深能级杂质与缺陷(续)[J]
.微纳电子技术,2008,45(11):621-626.
被引量:1
2
李玉茹,黄清芳,李晓岚,邵会民,史艳磊,孙聂枫.
HP-LEC法InP单晶生长的引晶、放肩过程研究[J]
.半导体技术,2013,38(11):840-844.
被引量:1
3
王昊宇,杨瑞霞,孙聂枫,王书杰,田树盛,陈春梅,刘惠生.
富铟磷化铟晶体中铟夹杂物基体特征分析[J]
.半导体技术,2019,44(5):386-389.
被引量:1
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1
高海凤,杨瑞霞,杨帆,孙聂枫,周晓龙.
磷化铟晶体合成生长研究现状[J]
.电子工艺技术,2010,31(3):135-140.
被引量:6
2
姜剑,孙聂枫,孙同年,王书杰,邵会民,刘惠生.
InP籽晶表面处理的装置设计与工艺优化[J]
.半导体技术,2021,46(8):658-662.
3
刘京明,赵有文,张成龙,卢伟,杨俊,沈桂英.
高品质磷化铟多晶的HGF法合成研究[J]
.半导体光电,2024,45(1):101-104.
1
赵有文,段满龙,孙文荣,杨子祥,焦景华,赵建群,曹慧梅,吕旭如.
提高(100)晶向磷化铟单晶的成晶率和质量的研究[J]
.人工晶体学报,2003,32(5):460-463.
被引量:6
2
董占美,薛武鹏.
TGY30型高压单晶炉机械设计与制造[J]
.石油化工设备,2002,31(4):43-45.
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谢自力,夏德谦,陈宏毅,朱志明.
降低SI-GaAs单晶中碳含量的实验研究[J]
.固体电子学研究与进展,1991,11(4):341-346.
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4
碳/碳复合材料应用于硅晶体热场系统获突破[J]
.工程塑料应用,2008,36(5):59-59.
5
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.中国有色金属,2008(9):75-75.
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.硅谷,2014,7(12):65-66.
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7
邓志杰,俞斌才,刘锡田.
ZFL018型高压单晶炉及GaP单晶拉制[J]
.仪器仪表学报,1980,1(4):119-120.
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蒋范明,陈凡胜.
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.红外技术,2012,34(2):73-77.
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刘力宾.
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.稀有金属,1990,14(5):387-390.
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Journal of Semiconductors
2007年 第z1期
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