前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜

High Quality GaN Films Growth on Pre-Treated Sapphire Substrate

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摘要采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(1012)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到208.80"及320.76"

作者彭冬生冯玉春牛憨笨

机构地区深圳大学光电子学研究所中国科学院西安光学精密机械研究所中国科学院研究生院

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期241-244,共4页 半导体学报（英文版）

基金广东省自然科学基金(批准号:04300863),广东省关键领域重点突破项目(批准号:2B2003A107)及深圳市科技计划(批准号:200515)资助项目

关键词前处理 MOCVD GAN薄膜

分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]

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