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m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性 被引量：1

Growth and Characterization of m Plane GaN Material by MOCVD
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摘要 用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.
作者 谢自力 张荣 韩平 刘成祥 修向前 刘斌 李亮 赵红 朱顺明 江若琏 周圣明 施毅 郑有炓
机构地区 南京大学物理系
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期249-252,共4页 半导体学报（英文版）
基金 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB6049,2006CB0L1000),国家高技术研究发展计划(批准号:20060103A1153,20060103A1167),国家自然科学基金(批准号:6039072,60476030,60421003,60676057),教育部重大项目(批准号:10416),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)
关键词 MOCVD m面 非极化 GAN
分类号 TN304.2+3 [电子电信—物理电子学]
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引证文献1

Journal of Semiconductors
2007年 第z1期

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