摘要
研究了物理气相法制备AlN晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和盖的粘结问题.随着生长温度的升高,AlN晶体的形态从晶须过渡到棱形晶粒.温度高于1950℃时,才能制备出颗粒状.AlN晶体.同时,研究了过饱和压对晶体生长的影响.目前,已经制备出直径为1mm的高质量的六棱柱形的.AlN单晶,最大的单晶体的直径达2mm.
基金
国家自然科学基金(批准号:60376003,60576005),广东省自然科学基金(批准号:04011297),教育部科技研究基金(批准号:[2005]3号)和深圳市科技计划(批准号:200517)资助项目
