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HBM模型中IC器件氧化层击穿机理 被引量：1

Dielectric oxide film breakdown mechanism of IC device in human body model
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摘要 在IC器件氧化层介质击穿物理模型的基础上,讨论人体带电放电模型(HBMESD)中波动电压加于氧化层上时绝缘介质氧化层的击穿机理。 Based on the physical model of dielectric oxide film breakdown in IC device, the breakdown mechanism of the film is discussed when ESD pulses in human body model are applied to the oxide film.
作者 孙可平 孙志强
机构地区 上海海运学院基础教学部
出处 《上海海事大学学报》 北大核心 2004年第4期86-88,共3页 Journal of Shanghai Maritime University
基金 上海市教委科技基金重点资助项目(03IZ01)
关键词 氧化层击穿 IC器件 静电防护 介质击穿 oxide film breakdown IC device protection static electricity dielectric breakdown
分类号 O482.4 [理学—固体物理]
  • 相关文献

参考文献6

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共引文献3

同被引文献9

引证文献1

上海海事大学学报
2004年 第4期

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